特許
　Patents

  1. 発明の名称：薄膜形成方法及び記憶素子
    発明者：山田 豊和, 稲見 栄一
    権利者：国立大学法人千葉大学
    出願番号：特願2018-107375
    出願日：2018年06月05日
    公開番号：特開2019-210511
    公開日：2019年12月12日
    登録番号：特許7208609
    国内外の別：国内

　解説・総説・プロシーディング
　Review Articles & Non-Refereed Proceedings

  1. "Accurate Method for Measuring Oscillation Amplitude of Non-contact Atomic Force Microscopy",
    Keiichi Ueda, Daiki Katsube, Eiichi Inami, and Masayuki Abe,
    Proceedings of 12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'19 (ALC '19),
    Published online: 21 October 2019.

  2. "High-resolution NC-AFM imaging of rutile TiO2(110)-(1×2) surface",
    Daiki Katsube, Shoki Ojima, Eiichi Inami, Masayuki Abe,
    Proceedings of 12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'19 (ALC '19),
    Published online: 21 October 2019.

  3. "Combined atomic force and scanning tunneling microscopy study to identify atomic species in Pt-induced nanowires on Ge(001) surface",
    Eiichi Inami, Yoshiaki Sugimoto, Takuya Shinozaki, Oguzhan Gurlu, and Ayhan Yurtsever,
    Proceedings of 12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'19 (ALC '19),
    Published online: 21 October 2019.

  4. 「磁石でつくる室温でも安定な世界最薄の有機分子膜 - 磁性3d電子状態と分子π軌道との強固な結合」,
    山田 豊和, 稲見 栄一,
    月刊『化学』, vol.73, No. 8, pp.44-48 (2018), 解説記事,
    2018年07月18日, 化学同人.

  5. 「薄さは分子1個分! 室温でも「超安定」な極薄有機分子膜 -磁気メモリの高密度化・省エネ化を促進」,
    稲見 栄一, 山田 豊和,
    academist Journal, 解説記事,
    2018年03月09日, アカデミスト.

　報告
　Reports

  1. 「室温・原子スイッチ機能による超小型・不揮発メモリ開発」,
    稲見 栄一,
    公益財団法人 村田学術振興財団 第33回(平成29年度)研究助成 研究成果報告書, No.32, 2018.12

  2. 「AFM/STM を用いた局所キャリアダイナミクスの時間分解測定」,
    稲見 栄一,
    日本学術振興会 科学研究費助成事業 研究成果報告書, 2018.

  3. 「キラルナノクラスターの自己組織化による超大容量不揮発性メモリの創製」,
    稲見 栄一,
    新学術領域研究「配位アシンメトリ」研究報告書(Confidential), 2018.

  4. 「機能性分子・ナノクラスターの自己組織化による高次機能の創出」,
    稲見 栄一,
    「配位アシンメトリー」News Letter, Vol.9 p.3, 2018.

  5. 「キラルナノクラスターの自己組織化による超大容量不揮発性メモリの創製」,
    稲見 栄一,
    新学術領域研究「配位アシンメトリ」研究報告書(Confidential), 2017.

  6. 「極短光パルス励起によるグラファイト構造相転移の核形成過程に関する研究」,
    稲見 栄一,
    日本学術振興会 科学研究費助成事業 研究成果報告書, 2014.

  7. 「Si(111)-(2×1)表面におけるレーザー誘起表面構造変化機構の研究」,
    稲見 栄一,
    大阪大学産業科学研究所 文部科学省21世紀COEプログラム 新産業創造指向インターナノサイエンス成果報告書(平成14年度-平成18年度), pp.98, 114, 2007.

  8. 「固体励起状態制御・組織化による高次機能構造材料創製」,
    市林 拓, 稲見 栄一, 田中 慎一郎, 金崎 順一, 谷村 克己,
    大阪大学産業科学研究所 文部科学省21世紀COEプログラム 新産業創造指向インターナノサイエンス成果報告書(平成14年度-平成18年度), pp.28-29, 2007.

  9. 「半導体再構成表面における電子励起誘起原子過程」,
    稲見 栄一,
    大阪大学産業科学研究所-東北大学多元物質科学研究所 新産業創造物質基盤技術研究センター 平成18年度研究成果報告書(平成18年度), pp.31-33, 2007.

  10. 「Si(111)-(2×1)表面におけるレーザー誘起表面構造変化」,
    稲見 栄一,
    大阪大学産業科学研究所-東北大学多元物質科学研究所 新産業創造物質基盤技術研究センター 平成17年度研究成果報告書(平成17年度), pp.**-**, 2006.

  11. 「Si(111)-(2×1)表面におけるレーザー誘起表面構造変化機構の研究」,
    稲見 栄一,
    大阪大学産業科学研究所 21世紀COEプログラム 新産業創造指向インターナノサイエンス2004年度研究成果報告書, 2005.

  12. 「Si(111)-(2×1)表面におけるレーザー誘起表面構造変化機構の研究」,
    稲見 栄一,
    大阪大学産業科学研究所 21世紀COEプログラム 新産業創造指向インターナノサイエンス2003年度研究成果報告書, p.96, 2004.

  13. 「Si(111)-(2×1)表面におけるレーザー誘起表面構造変化機構の研究」,
    稲見 栄一,
    大阪大学産業科学研究所 21世紀COEプログラム 新産業創造指向インターナノサイエンス2002年度研究成果報告書, 2003.